测量和利用服务器级别的ARMv8 CPU内核和DRAM的保护带

摘要

在本文中，我们介绍了我们对基于ARMv8的微型服务器的存储器和内核的定时和电压保护带的全面测量研究结果。通过使用各种合成的微型测试，我们揭示了所采用的电压裕度在CPU芯片的8个内核之间以及在3个不同的sigma芯片之间是如何变化的，我们还显示了它们对最坏情况下的电压噪声的易感性。此外，我们描述了 "弱 "DRAM单元在72个DRAM芯片中的保留时间的变化，并评估了在积极放宽刷新周期的情况下现有纠错代码的错误缓解效果。最后，我们展示了通过在内核和存储器中消除所采用的保护带，利用各种应用可以实现的总体能源节约。我们的特征分析结果显示，在内核中可能获得高达38.8%的节能，在DRAM中可能获得高达27.3%的节能。